Компанія Samsung представила найменші в світі мікросхеми DDR3 ємністю 2 Гб. Застосування 50-нанометрового технологічного ходу дозволило в два рази підвищити щільність пам'яті, свіжі чіпи призначені для виготовлення модулів RAM до 16 ГБ. Крихітні обхвати мікросхем дають можливість встановлювати до 8 ГБ пам'яті на друкарській платі модуля RIMM (Rambus in-Line Memory Module), або 4 ГБ на платі SODIMM (Small Outline Dual in-Line Memory Module) і UDIMM (Unregistered Dual in-Line Memory Module), не вибудовувавши при цьому непрості побудові в кілька рівнів. Максимальний об'єм RIMM, при використанні компонентів, що містять по два чіпи, складає 16 ГБ.